Skriv ut

Microchip har breddat sin portfölj av kraftkretsar i kiselkarbid genom sitt dotterbolag Microsemi. Företaget lanserar 700 V MOSFET:ar samt 700 V och 1 200 V Schottky-barriärdioder – allt tillverkat i SiC.

Microchip satsar starkt på kiselkarbid genom köpet av Microsemi. Tillsammans med de egna välkända styrkretsarna och analoga kretsarna vill företaget nyttja den nya portföljen SiC-kretsar för att erbjuda lösningar med fokus på hög verkningsgrad och effekttäthet.

Företaget anger att drygt 35 diskreta kretsar har lagts till portföljen. Allt finns att få i volym, erbjuds med en rad olika spänningar, märkström och kapslar och stöds av utvecklingstjänster, verktyg och referenskonstruktioner.

Microchip hävdar att de egna nya Schottky-barriärdioderna i SiC har runt 20 procent bättre prestanda jämfört med andra SiC-dioder vid tålighetstest (UIS, Unclamped Inductive Switching) som mäter hur väl kretsarna kan motstå försämring eller förtida fel som uppstår då en spänningsspik överstiger kretsens genomslagsspänning.

Även de nya MOSFET:ar påstås klara liknande tålighetstester bättre än alternativen.

Den nya produktportföljen kommer i ett antal olika kapslingsalternativ och siktar på tillämpningar inom industri, flyg- och rymd samt försvar.

Kategori: Produkt